창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTDC3M832TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTDC3M832TA | |
| PCN 단종/ EOL | MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010 | |
| 카탈로그 페이지 | 1465 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A, 3A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 40V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 25nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 165MHz, 190MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-VDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-MLP(3x2) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | ZXTDC3M832TACT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTDC3M832TA | |
| 관련 링크 | ZXTDC3M, ZXTDC3M832TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | AH2-Y.AH2-Y2 | AH2-Y.AH2-Y2 ORIGINAL SMD or Through Hole | AH2-Y.AH2-Y2.pdf | |
![]() | S-80925CLNB-G6VT2G | S-80925CLNB-G6VT2G SEIKO SC-82AB | S-80925CLNB-G6VT2G.pdf | |
![]() | HX8818C000FCG | HX8818C000FCG HIMAX SMD or Through Hole | HX8818C000FCG.pdf | |
![]() | 159-131 CEPP130151-03 | 159-131 CEPP130151-03 Microchip DIP28 | 159-131 CEPP130151-03.pdf | |
![]() | 55299-0408 | 55299-0408 Molex SMD or Through Hole | 55299-0408.pdf | |
![]() | ACFS | ACFS ORIGINAL 5 SOT-23 | ACFS.pdf | |
![]() | 914C820X2SR | 914C820X2SR ORIGINAL DIP | 914C820X2SR.pdf | |
![]() | EAWJ101ELL220MJ20S | EAWJ101ELL220MJ20S Chemi-con na | EAWJ101ELL220MJ20S.pdf | |
![]() | MAX5900EUT | MAX5900EUT MAXIM SMD or Through Hole | MAX5900EUT.pdf | |
![]() | AM45DL3208GB70I | AM45DL3208GB70I ORIGINAL FBGA69 | AM45DL3208GB70I.pdf | |
![]() | SPP11N60C3/C2 | SPP11N60C3/C2 Infineon SMD or Through Hole | SPP11N60C3/C2.pdf | |
![]() | SE185 | SE185 SE ZIP | SE185.pdf |