창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTD4591E6TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTD4591E6 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1465 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXTD4591E6TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTD4591E6TA | |
| 관련 링크 | ZXTD459, ZXTD4591E6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 022402.5HXW | FUSE GLASS 2.5A 250VAC 2AG | 022402.5HXW.pdf | |
![]() | BCM5761EBOKFBG | BCM5761EBOKFBG BROADCOM SMD or Through Hole | BCM5761EBOKFBG.pdf | |
![]() | INDR331B | INDR331B INOVE BGA | INDR331B.pdf | |
![]() | 22UF50V 6X5.4 | 22UF50V 6X5.4 LELON SMD or Through Hole | 22UF50V 6X5.4.pdf | |
![]() | 2392161-60425 | 2392161-60425 TI DIP | 2392161-60425.pdf | |
![]() | LM199140M | LM199140M NS SMD | LM199140M.pdf | |
![]() | F211BD124M250C | F211BD124M250C KEMET DIP | F211BD124M250C.pdf | |
![]() | LH5620 | LH5620 LIGITEK SMD or Through Hole | LH5620.pdf | |
![]() | K4M64163PH-RF90 | K4M64163PH-RF90 SAMSUNG BGA | K4M64163PH-RF90.pdf | |
![]() | RD12F T7 | RD12F T7 NEC SMD or Through Hole | RD12F T7.pdf | |
![]() | TL2652AMJGB | TL2652AMJGB TI DIP | TL2652AMJGB.pdf | |
![]() | LWQ183-P2R1-24 | LWQ183-P2R1-24 OSRM SMD or Through Hole | LWQ183-P2R1-24.pdf |