창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXT10P12DE6TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXT10P12DE6 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1459 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 3A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 2V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
주파수 - 트랜지션 | 110MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXT10P12DE6TATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXT10P12DE6TA | |
관련 링크 | ZXT10P1, ZXT10P12DE6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
RT1206CRE07499KL | RES SMD 499K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE07499KL.pdf | ||
TNPW080515K0BEEN | RES SMD 15K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080515K0BEEN.pdf | ||
APX9131AI-TRL TEL:82766440 | APX9131AI-TRL TEL:82766440 ANPEC SOT23-3 | APX9131AI-TRL TEL:82766440.pdf | ||
RBD-63V101MI5 | RBD-63V101MI5 ELNA DIP | RBD-63V101MI5.pdf | ||
EP2S30F780I6N | EP2S30F780I6N ORIGINAL SMD or Through Hole | EP2S30F780I6N.pdf | ||
1000UF 16V 10*21 M | 1000UF 16V 10*21 M TASUND SMD or Through Hole | 1000UF 16V 10*21 M.pdf | ||
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WP-90970L3(LS241) | WP-90970L3(LS241) MOT DIP | WP-90970L3(LS241).pdf | ||
PLFC0760-8R2A | PLFC0760-8R2A NEC SMD or Through Hole | PLFC0760-8R2A.pdf |