창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXT10N50DE6TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXT10N50DE6 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1460 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 3A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
주파수 - 트랜지션 | 165MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXT10N50DE6TATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXT10N50DE6TA | |
관련 링크 | ZXT10N5, ZXT10N50DE6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 5NR221MAACI | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5F 방사형, 디스크 0.157" Dia(4.00mm) | 5NR221MAACI.pdf | |
![]() | V20P14AUTO | VARISTOR 22V 5KA DISC 20MM | V20P14AUTO.pdf | |
![]() | MBA02040C1962FCT00 | RES 19.6K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1962FCT00.pdf | |
![]() | 6291-2CRZ | 6291-2CRZ intersil QFN | 6291-2CRZ.pdf | |
![]() | M6656A-801 | M6656A-801 OKI SOP-24 | M6656A-801.pdf | |
![]() | DM54LS139J | DM54LS139J NS DIP | DM54LS139J.pdf | |
![]() | R3929(60H30289169) | R3929(60H30289169) N/A N A | R3929(60H30289169).pdf | |
![]() | FS8841B | FS8841B FORTUNE TO-89 | FS8841B.pdf | |
![]() | TD62S351AFM | TD62S351AFM TOSHIBA SMD or Through Hole | TD62S351AFM.pdf | |
![]() | 08-0341-02 | 08-0341-02 CISCOSYST FGA | 08-0341-02.pdf | |
![]() | 8ESW08 | 8ESW08 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8ESW08.pdf |