창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMP3A16DN8TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMP3A16DN8 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 4.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1022pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | ZXMP3A16DN8TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMP3A16DN8TA | |
| 관련 링크 | ZXMP3A1, ZXMP3A16DN8TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 416F320X2CTR | 32MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X2CTR.pdf | |
![]() | AISC-0603HP-9N5J-T | 9.5nH Unshielded Wirewound Inductor 1.35A 60 mOhm Max Nonstandard | AISC-0603HP-9N5J-T.pdf | |
![]() | RT1300B6PTR13 | RES NTWRK 27 RES MULT OHM 36LBGA | RT1300B6PTR13.pdf | |
![]() | ERA3AEB101V | ERA3AEB101V PAS SMD or Through Hole | ERA3AEB101V.pdf | |
![]() | LT4060 | LT4060 LINEAR DFN-16 | LT4060.pdf | |
![]() | RYT3050011 | RYT3050011 ST DIP | RYT3050011.pdf | |
![]() | M29DW641F70N6E | M29DW641F70N6E ST SMD or Through Hole | M29DW641F70N6E.pdf | |
![]() | FP6808-29NS5PTR | FP6808-29NS5PTR Fitipower SOT23-5 | FP6808-29NS5PTR.pdf | |
![]() | LT-T02-18W | LT-T02-18W ORIGINAL SMD or Through Hole | LT-T02-18W.pdf | |
![]() | TZMC1V3-GS08 | TZMC1V3-GS08 VISHIBA SOD-80(LL34) | TZMC1V3-GS08.pdf | |
![]() | LQG18HN4N7800D | LQG18HN4N7800D MURATA SMD or Through Hole | LQG18HN4N7800D.pdf |