창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMP10A17GQTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMP10A17GQ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 424pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXMP10A17GQTA-ND ZXMP10A17GQTADITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMP10A17GQTA | |
| 관련 링크 | ZXMP10A, ZXMP10A17GQTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MLF2012DR82MTD25 | 820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012DR82MTD25.pdf | |
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![]() | M36C | M36C N/A SOP-8 | M36C.pdf | |
![]() | BT139-800/B | BT139-800/B ORIGINAL SMD or Through Hole | BT139-800/B.pdf | |
![]() | 3DD175A | 3DD175A CHINA SMD or Through Hole | 3DD175A.pdf | |
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