창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN6A09DN8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMN6A09DN8 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 8.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24.2nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1407pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXMN6A09DN8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMN6A09DN8TA | |
관련 링크 | ZXMN6A0, ZXMN6A09DN8TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | LG5480-H | LG5480-H OSRAM ROHS | LG5480-H.pdf | |
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![]() | LG HK0603 47NJ-T | LG HK0603 47NJ-T ORIGINAL SMD or Through Hole | LG HK0603 47NJ-T.pdf | |
![]() | Hi3110ERQCV120 | Hi3110ERQCV120 HISILICON SMD or Through Hole | Hi3110ERQCV120.pdf | |
![]() | UZ1084G-1.5V TO-263 | UZ1084G-1.5V TO-263 UTC SMD or Through Hole | UZ1084G-1.5V TO-263.pdf | |
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