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Diodes Incorporated ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA
제조업체 부품 번호
ZXMN6A08E6QTA
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
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내부 부품 번호EIS-ZXMN6A08E6QTA
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ZXMN6A08E6Q
PCN 설계/사양Leadframe Material Update 09/Apr/2014
Date Code Mark Update 13/Jan/2015
PCN 기타Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs80m옴 @ 4.8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs5.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds459pF @ 40V
전력 - 최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지SOT-26
표준 포장 3,000
다른 이름ZXMN6A08E6QTADITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ZXMN6A08E6QTA
관련 링크ZXMN6A0, ZXMN6A08E6QTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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