창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN6A07ZTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMN6A07Z | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 1.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 166pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXMN6A07ZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN6A07ZTA | |
| 관련 링크 | ZXMN6A, ZXMN6A07ZTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | 3094R-683KS | 68µH Unshielded Inductor 67mA 11 Ohm Max 2-SMD | 3094R-683KS.pdf | |
![]() | H351 | H351 ORIGINAL SOT-153 | H351.pdf | |
![]() | ATF-55143-T | ATF-55143-T AVAGO SMD or Through Hole | ATF-55143-T.pdf | |
![]() | MPD66036WM | MPD66036WM MICREL SOP | MPD66036WM.pdf | |
![]() | TA7812SB(TP | TA7812SB(TP TOSHIBA SMD or Through Hole | TA7812SB(TP.pdf | |
![]() | ACPM-7571 | ACPM-7571 ORIGINAL BGA | ACPM-7571.pdf | |
![]() | MP2528 | MP2528 ORIGINAL TO-3 | MP2528.pdf | |
![]() | VJ9937F823JXAMR | VJ9937F823JXAMR NA SMD | VJ9937F823JXAMR.pdf | |
![]() | UPD70F3786GJ-GAE-AX | UPD70F3786GJ-GAE-AX Renesas NA | UPD70F3786GJ-GAE-AX.pdf | |
![]() | C3746-3748 | C3746-3748 ORIGINAL TO-220 | C3746-3748.pdf |