창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN3F30FHTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMN3F30FH | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 3.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 318pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 950mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXMN3F30FHTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN3F30FHTA | |
| 관련 링크 | ZXMN3F3, ZXMN3F30FHTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 2036-25-C3LF | GDT 250V 20% 10KA THROUGH HOLE | 2036-25-C3LF.pdf | |
![]() | CW02B1K500JS70 | RES 1.5K OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B1K500JS70.pdf | |
![]() | PEMD48 | PEMD48 NXP SMD or Through Hole | PEMD48.pdf | |
![]() | XRT83VSH38IB | XRT83VSH38IB XR BGA-225P | XRT83VSH38IB.pdf | |
![]() | UPC277G2(22)-E2 | UPC277G2(22)-E2 NEC SOP8 | UPC277G2(22)-E2.pdf | |
![]() | MSM82C542JS | MSM82C542JS OKI PLCC28 | MSM82C542JS.pdf | |
![]() | PBD44-1R5M | PBD44-1R5M ORIGINAL SMD1.5uH | PBD44-1R5M.pdf | |
![]() | MH1350 | MH1350 MH DIP | MH1350.pdf | |
![]() | 0410-270uH | 0410-270uH LGA SMD or Through Hole | 0410-270uH.pdf |