창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2F34FHTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMN2F34FH | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 277pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 950mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXMN2F34FHTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMN2F34FHTA | |
관련 링크 | ZXMN2F3, ZXMN2F34FHTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
URS1V4R7MDD1TA | 4.7µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | URS1V4R7MDD1TA.pdf | ||
F931E684MAA | 0.68µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1206 (3216 Metric) 7.6 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | F931E684MAA.pdf | ||
DSC1033BI1-032.0000 | 32MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 3mA (Typ) Standby (Power Down) | DSC1033BI1-032.0000.pdf | ||
HRPG-AD16#54F | ENCODER MINI 16CPR 12.7X6MM | HRPG-AD16#54F.pdf | ||
F1018 | F1018 POLYFET NA | F1018.pdf | ||
4M3U | 4M3U ORIGINAL SOT23-3 | 4M3U.pdf | ||
ICS9248AF-143T | ICS9248AF-143T ICS SSOP | ICS9248AF-143T.pdf | ||
HAL584SF-E | HAL584SF-E MICRONAS TO-92S | HAL584SF-E.pdf | ||
74W00 | 74W00 ORIGINAL MSOP | 74W00.pdf | ||
BT139-800E127 | BT139-800E127 ORIGINAL SZ | BT139-800E127.pdf | ||
2SC3631-KH | 2SC3631-KH NEC N A | 2SC3631-KH.pdf |