창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2F34FHTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMN2F34FH | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 277pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 950mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXMN2F34FHTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMN2F34FHTA | |
관련 링크 | ZXMN2F3, ZXMN2F34FHTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | ATC100B7R5JW500XT | ATC100B7R5JW500XT ATC SMD | ATC100B7R5JW500XT.pdf | |
![]() | 33.000M | 33.000M ORIGINAL 49U | 33.000M.pdf | |
![]() | RG1C108M10020 | RG1C108M10020 SAMWH DIP | RG1C108M10020.pdf | |
![]() | SC422807CP | SC422807CP FREESCALE DIP20 | SC422807CP.pdf | |
![]() | MRF7S18125AHSR | MRF7S18125AHSR FreescaleSemicond SMD or Through Hole | MRF7S18125AHSR.pdf | |
![]() | 9248BF-126 | 9248BF-126 ICS SOP | 9248BF-126.pdf | |
![]() | AWDw | AWDw NPE SMD | AWDw.pdf | |
![]() | SN54H109J | SN54H109J TI DIP | SN54H109J.pdf | |
![]() | WDS048A | WDS048A TI SOP | WDS048A.pdf | |
![]() | NA.BV.198.AC100V(4A) | NA.BV.198.AC100V(4A) ORIGINAL SMD or Through Hole | NA.BV.198.AC100V(4A).pdf | |
![]() | T494B336M004AT | T494B336M004AT Kemet SMD | T494B336M004AT.pdf | |
![]() | JAN2N869A | JAN2N869A MOT CAN | JAN2N869A.pdf |