창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2F34FHTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMN2F34FH | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 277pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 950mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXMN2F34FHTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMN2F34FHTA | |
관련 링크 | ZXMN2F3, ZXMN2F34FHTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | UMK105CG150JW-F | 15pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | UMK105CG150JW-F.pdf | |
![]() | B32672L8512J289 | 5100pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | B32672L8512J289.pdf | |
![]() | F111//UE111 | F111//UE111 N/A SMD or Through Hole | F111//UE111.pdf | |
![]() | 25CE100BS | 25CE100BS SANYO SMD | 25CE100BS.pdf | |
![]() | ST90N02 | ST90N02 ST TO-252 | ST90N02.pdf | |
![]() | 09-9692-1-03 | 09-9692-1-03 AD SMD or Through Hole | 09-9692-1-03.pdf | |
![]() | MCP67MA2 | MCP67MA2 NVIDIA BGA | MCP67MA2.pdf | |
![]() | D773 | D773 ORIGINAL TO-92L | D773.pdf | |
![]() | M37263M3-502SP | M37263M3-502SP FUNAI DIP | M37263M3-502SP.pdf | |
![]() | GM1202PFV2-8.GN | GM1202PFV2-8.GN SUNONWLH SMD or Through Hole | GM1202PFV2-8.GN.pdf | |
![]() | DMP-DDV1211QS21 | DMP-DDV1211QS21 ACCEPTED SMD or Through Hole | DMP-DDV1211QS21.pdf |