창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2B14FHTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMN2B14FH | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 3.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 872pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXMN2B14FHTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN2B14FHTA | |
| 관련 링크 | ZXMN2B1, ZXMN2B14FHTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RCE5C2A4R0C0K1H03B | 4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A4R0C0K1H03B.pdf | |
![]() | GQM1555C2DR70WB01D | 0.70pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2DR70WB01D.pdf | |
![]() | MBB02070C6208FCT00 | RES 6.2 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C6208FCT00.pdf | |
![]() | HM62W8512ALTT-5 | HM62W8512ALTT-5 HIT TSOP | HM62W8512ALTT-5.pdf | |
![]() | 361335-A000 | 361335-A000 REALTEK DIP | 361335-A000.pdf | |
![]() | FPN660A/D27Z | FPN660A/D27Z FSC TO-226 | FPN660A/D27Z.pdf | |
![]() | D770N18T | D770N18T INF SMD or Through Hole | D770N18T.pdf | |
![]() | TMP68031AF-12 | TMP68031AF-12 TOSHIBA QFP | TMP68031AF-12.pdf | |
![]() | M1533A1EG | M1533A1EG ALI BGA | M1533A1EG.pdf | |
![]() | UPD72852 | UPD72852 NEC QFP | UPD72852.pdf | |
![]() | TPD2125ES | TPD2125ES IRIPATH HISSOP | TPD2125ES.pdf |