Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC
- 제조업체 부품 번호
- ZXMHC3A01N8TC
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
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ZXMHC3A01N8TC 가격 및 조달
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8550 조각
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ZXMHC3A01N8TC 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMHC3A01N8TC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMHC3A01N8 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.17A, 1.64A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 190pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 870mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | ZXMHC3A01N8DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMHC3A01N8TC | |
| 관련 링크 | ZXMHC3A, ZXMHC3A01N8TC 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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