창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMD63P02XTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMD63P02XTC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 1.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.25nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.04W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-MSOP | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXMD63P02XTR ZXMD63P02XTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMD63P02XTA | |
| 관련 링크 | ZXMD63P, ZXMD63P02XTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CC0402CRNPO9BN3R6 | 3.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402CRNPO9BN3R6.pdf | |
![]() | SF14-2120M5UU04 | SF14-2120M5UU04 KYOCERA SF14-2120M5UU04(1.1 | SF14-2120M5UU04.pdf | |
![]() | FA1A3Q-T1B-L83 | FA1A3Q-T1B-L83 NEC SOT-23-3L | FA1A3Q-T1B-L83.pdf | |
![]() | LK702 | LK702 POLYFET NA | LK702.pdf | |
![]() | 8711CFA | 8711CFA SAMM DIP18 | 8711CFA.pdf | |
![]() | M95080-WDW3TP/PC | M95080-WDW3TP/PC STM TSSOP-8 | M95080-WDW3TP/PC.pdf | |
![]() | HZ201 | HZ201 ST SMD or Through Hole | HZ201.pdf | |
![]() | TPA2100P1EVM | TPA2100P1EVM TI SMD or Through Hole | TPA2100P1EVM.pdf | |
![]() | SK60GAL123 | SK60GAL123 SEMIKRON SMD or Through Hole | SK60GAL123.pdf | |
![]() | PVI1015 | PVI1015 ORIGINAL c | PVI1015.pdf | |
![]() | SML-015A | SML-015A ORIGINAL SMD | SML-015A.pdf | |
![]() | L1A5132 | L1A5132 N/A QFP | L1A5132.pdf |