창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMD63C02XTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMD63C02XTC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 1.7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.04W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-MSOP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | ZXMD63C02X ZXMD63C02XCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMD63C02XTA | |
| 관련 링크 | ZXMD63C, ZXMD63C02XTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C221G5GACTU | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C221G5GACTU.pdf | |
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![]() | KTC9015-C-AT/P | KTC9015-C-AT/P KEC TO-92 | KTC9015-C-AT/P.pdf | |
![]() | PI2PCIE412-DZHE-T | PI2PCIE412-DZHE-T PERICOMSEMICONDUCTORCORP ORIGINAL | PI2PCIE412-DZHE-T.pdf | |
![]() | ISL88385EIBZ-T | ISL88385EIBZ-T INTERSIL SSOP | ISL88385EIBZ-T.pdf | |
![]() | T80A350X | T80A350X EPCOS SMD or Through Hole | T80A350X.pdf | |
![]() | DV11203-H4R9-4F | DV11203-H4R9-4F FOXCONN SMD or Through Hole | DV11203-H4R9-4F.pdf | |
![]() | UCR16CML TO-220 | UCR16CML TO-220 UTC TO220 | UCR16CML TO-220.pdf | |
![]() | AIC1185-33PETR | AIC1185-33PETR AIC TO-252 | AIC1185-33PETR.pdf | |
![]() | MMBZ5248AW | MMBZ5248AW PANJIT/VISHAY SOT-323 | MMBZ5248AW.pdf | |
![]() | SI4606DY | SI4606DY ORIGINAL SOP8 | SI4606DY.pdf |