창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMC3F31DN8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMC3F31DN8 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A, 4.9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 608pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXMC3F31DN8TADI ZXMC3F31DN8TADI-ND ZXMC3F31DN8TADITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMC3F31DN8TA | |
관련 링크 | ZXMC3F3, ZXMC3F31DN8TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
GRM1885C1H270GA01D | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H270GA01D.pdf | ||
416F271X3CLT | 27.12MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X3CLT.pdf | ||
MBH12282C-100MA=P3 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 5.3A 21.6 mOhm Max Nonstandard | MBH12282C-100MA=P3.pdf | ||
RCP2512B1K50JEB | RES SMD 1.5K OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B1K50JEB.pdf | ||
HV218N50 | HV218N50 FSC TO-247 | HV218N50.pdf | ||
SAN608C | SAN608C ORIGINAL TSSOP20 | SAN608C.pdf | ||
MP1522ET NOPB | MP1522ET NOPB MPS SOT153 | MP1522ET NOPB.pdf | ||
IMP801M | IMP801M IMP SOT-23 | IMP801M.pdf | ||
CM252016-R33M | CM252016-R33M BOURNS SMD or Through Hole | CM252016-R33M.pdf | ||
D70216GF-8110 | D70216GF-8110 NEC PLCC | D70216GF-8110.pdf | ||
BA6908L | BA6908L UTC SOP8 | BA6908L.pdf | ||
6R025 | 6R025 NXP LFPAK | 6R025.pdf |