창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMC3A17DN8TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMC3A17DN8TC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A, 3.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 7.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | ZXMC3A17DN8TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMC3A17DN8TA | |
| 관련 링크 | ZXMC3A1, ZXMC3A17DN8TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | V420LA7PX2855 | VARISTOR 680V 1.2KA DISC 7MM | V420LA7PX2855.pdf | |
![]() | MBRS190T3G | DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB | MBRS190T3G.pdf | |
![]() | RL0805JR-070R27L | RES SMD 0.27 OHM 5% 1/8W 0805 | RL0805JR-070R27L.pdf | |
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![]() | RMCP2010FT205R | RES SMD 205 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT205R.pdf | |
![]() | RE25V101MTA | RE25V101MTA ELG SMD or Through Hole | RE25V101MTA.pdf | |
![]() | TC7W74FKTE85L | TC7W74FKTE85L TOSHIBA SOP8 | TC7W74FKTE85L.pdf | |
![]() | 532767-2 | 532767-2 AMP con | 532767-2.pdf | |
![]() | IN4732A | IN4732A ST DO41 | IN4732A.pdf | |
![]() | RCWP12063K01FKS2 | RCWP12063K01FKS2 VISHAY ORIGINAL | RCWP12063K01FKS2.pdf | |
![]() | 3770225600 | 3770225600 PLITEKASIALIMITE SMD or Through Hole | 3770225600.pdf | |
![]() | IRF4321PBF | IRF4321PBF TI SMD or Through Hole | IRF4321PBF.pdf |