창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXM64P035GTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXM64P035G MOSFET | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | Digi-Reel® | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 35V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta), 5.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 825pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | ZXM64P035GDKR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXM64P035GTA | |
| 관련 링크 | ZXM64P0, ZXM64P035GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RT0402DRD0715K8L | RES SMD 15.8KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD0715K8L.pdf | |
![]() | Y17462K00000B9L | RES SMD 2K OHM 0.1% 0.6W J LEAD | Y17462K00000B9L.pdf | |
![]() | SS14 1N5819 | SS14 1N5819 MIC DO-214AC | SS14 1N5819.pdf | |
![]() | 6562-009 | 6562-009 ORIGINAL QFP | 6562-009.pdf | |
![]() | TPS77715PWP | TPS77715PWP TI SSOP | TPS77715PWP.pdf | |
![]() | KM641001BJ-20 | KM641001BJ-20 SAMSUNG PLCC | KM641001BJ-20.pdf | |
![]() | APN1226P-G | APN1226P-G ORIGINAL SMD or Through Hole | APN1226P-G.pdf | |
![]() | UPC74164C | UPC74164C NEC DIP14 | UPC74164C.pdf | |
![]() | TD62593AP0 | TD62593AP0 TOS DIP-18 | TD62593AP0.pdf | |
![]() | 25.345.3353.0 | 25.345.3353.0 WIELANDELECTRIC SMD or Through Hole | 25.345.3353.0.pdf | |
![]() | H57V2562GTR-75J | H57V2562GTR-75J HYNIX TSOP | H57V2562GTR-75J.pdf |