창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXM62P03E6TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXM62P03E6 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 625mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXM62P03E6TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXM62P03E6TA | |
관련 링크 | ZXM62P0, ZXM62P03E6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
BD677G | TRANS NPN DARL 60V 4A TO225 | BD677G.pdf | ||
ZXM62P02E6TA | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | ZXM62P02E6TA.pdf | ||
AT0402DRE07137RL | RES SMD 137 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE07137RL.pdf | ||
CMF5515K000JLEK | RES 15K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5515K000JLEK.pdf | ||
DP8510 | DP8510 NS SMD or Through Hole | DP8510.pdf | ||
PQ09SZ51 | PQ09SZ51 SHARP TO252 | PQ09SZ51.pdf | ||
ADM805LA | ADM805LA AD SOP8 | ADM805LA.pdf | ||
S-817B15AUA-CWE-T2 | S-817B15AUA-CWE-T2 SEIKO SOT89-3 | S-817B15AUA-CWE-T2.pdf | ||
BO2520AX | BO2520AX PHILIPS TO-3P | BO2520AX.pdf | ||
787012JGC017141315 | 787012JGC017141315 NEC QFP | 787012JGC017141315.pdf | ||
ADS4122IRGZR | ADS4122IRGZR TI 48VQFN | ADS4122IRGZR.pdf | ||
TDA9351PS/N1/1L0180 | TDA9351PS/N1/1L0180 PHI DIP-64 | TDA9351PS/N1/1L0180.pdf |