창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXM62P02E6TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXM62P02E6 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 320pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXM62P02E6TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXM62P02E6TA | |
관련 링크 | ZXM62P0, ZXM62P02E6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
RG1608N-432-D-T5 | RES SMD 4.3K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-432-D-T5.pdf | ||
RG3216N-59R0-D-T5 | RES SMD 59 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-59R0-D-T5.pdf | ||
SAFC161CJ32RF | SAFC161CJ32RF infineon TQFP44 | SAFC161CJ32RF.pdf | ||
TEESVB1C336M8R | TEESVB1C336M8R NEC 16V33B | TEESVB1C336M8R.pdf | ||
H3YN-21 | H3YN-21 OMRON/ null | H3YN-21.pdf | ||
DW-09-10-G-D-310 | DW-09-10-G-D-310 SAMTEC SMD or Through Hole | DW-09-10-G-D-310.pdf | ||
38510/2 | 38510/2 HAR DIP | 38510/2.pdf | ||
Q69500-T0060-M060 | Q69500-T0060-M060 epcos CT0603M6G | Q69500-T0060-M060.pdf | ||
137E7030 LUKE FC17-0101 | 137E7030 LUKE FC17-0101 FUJIXEROX BGA | 137E7030 LUKE FC17-0101.pdf | ||
US1010CY | US1010CY USM SOT-223 | US1010CY.pdf | ||
C45F225 | C45F225 ORIGINAL SMD or Through Hole | C45F225.pdf | ||
499DX106X0035F6V | 499DX106X0035F6V SPRAGUE ORIGINAL | 499DX106X0035F6V.pdf |