창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXM61P02FTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXM61P02FTC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 900mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 610mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 625mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXM61P02FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXM61P02FTA | |
관련 링크 | ZXM61P, ZXM61P02FTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CRCW2010261RFKEFHP | RES SMD 261 OHM 1% 1W 2010 | CRCW2010261RFKEFHP.pdf | |
![]() | Y09264R00000Q0L | RES 4 OHM 8W 0.02% TO220-4 | Y09264R00000Q0L.pdf | |
![]() | HZM6.8ZMFATR | HZM6.8ZMFATR ORIGINAL SMD or Through Hole | HZM6.8ZMFATR.pdf | |
![]() | H9718BMTD | H9718BMTD HAR DIP | H9718BMTD.pdf | |
![]() | M20200-C01010 | M20200-C01010 ALPHA SMD or Through Hole | M20200-C01010.pdf | |
![]() | 00038+ | 00038+ AVAGO DIP | 00038+.pdf | |
![]() | GL6250-1.5ST23R | GL6250-1.5ST23R Gleam SOT-23 | GL6250-1.5ST23R.pdf | |
![]() | IDT74FCT162373ETPA | IDT74FCT162373ETPA IDT TSSOP48 | IDT74FCT162373ETPA.pdf | |
![]() | T7L74MLG-0102 | T7L74MLG-0102 TOSHIBA BGA | T7L74MLG-0102.pdf | |
![]() | NCP702SN30T1G | NCP702SN30T1G ON SOT-23-5 | NCP702SN30T1G.pdf | |
![]() | GTH2012-1R0J | GTH2012-1R0J ORIGINAL SMD or Through Hole | GTH2012-1R0J.pdf | |
![]() | RP332048 | RP332048 ORIGINAL DIP | RP332048.pdf |