창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXM61N03FTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXM61N03FTC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 910mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 625mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXM61N03FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXM61N03FTA | |
관련 링크 | ZXM61N, ZXM61N03FTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | P6KE400-G | TVS DIODE 324.8VWM 574VC DO15 | P6KE400-G.pdf | |
![]() | SBCP-11HY681H | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 1 Ohm Max Radial, Vertical Cylinder | SBCP-11HY681H.pdf | |
![]() | RE1206DRE07178KL | RES SMD 178K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE07178KL.pdf | |
![]() | RE1206DRE071K4L | RES SMD 1.4K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE071K4L.pdf | |
![]() | RC2512FK-0716K5L | RES SMD 16.5K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-0716K5L.pdf | |
![]() | HT20SJCH560J | HT20SJCH560J MMCElectronicsTa SMD or Through Hole | HT20SJCH560J.pdf | |
![]() | 613AG | 613AG N/A DIP8 | 613AG.pdf | |
![]() | S13433DV-T1-E3 | S13433DV-T1-E3 VISHAY SO-236 | S13433DV-T1-E3.pdf | |
![]() | SMT | SMT SANYOU SMT | SMT.pdf | |
![]() | ASY33 | ASY33 ORIGINAL SMD or Through Hole | ASY33.pdf | |
![]() | ESS-2Axxxxxm | ESS-2Axxxxxm VISHAYDALE RWR71SxxxxxM | ESS-2Axxxxxm.pdf | |
![]() | JQX-59F(JQX-120F) | JQX-59F(JQX-120F) ORIGINAL DIP | JQX-59F(JQX-120F).pdf |