창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVP4525GTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVP4525G | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 265mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14옴 @ 200mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 73pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZVP4525GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVP4525GTA | |
| 관련 링크 | ZVP452, ZVP4525GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SRN4026-1R2Y | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 2.75A 24 mOhm Max Nonstandard | SRN4026-1R2Y.pdf | |
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![]() | SY3-1V156M-RD0 | SY3-1V156M-RD0 ELNA SMD | SY3-1V156M-RD0.pdf | |
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![]() | MG15N1BS1 | MG15N1BS1 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG15N1BS1.pdf | |
![]() | MAAP-000021-PKG003 | MAAP-000021-PKG003 M/A-COM SMD or Through Hole | MAAP-000021-PKG003.pdf | |
![]() | 2SC5327 | 2SC5327 ORIGINAL to-92 | 2SC5327.pdf |