창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVP3306FTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVP3306F | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14옴 @ 200mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 18V | |
전력 - 최대 | 330mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZVP3306FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVP3306FTA | |
관련 링크 | ZVP330, ZVP3306FTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | DC1390R-333K | 33µH Unshielded Inductor 14.7A 11 mOhm Max Radial | DC1390R-333K.pdf | |
![]() | MMH3111NT1 | RF Amplifier IC Cellular, PCS, ISM, WLL 250MHz ~ 4GHz SOT-89-4 | MMH3111NT1.pdf | |
![]() | TA0009P12 | TA0009P12 BROADCOM QFP | TA0009P12.pdf | |
![]() | TMC1175AN2C50 | TMC1175AN2C50 FSC SMD or Through Hole | TMC1175AN2C50.pdf | |
![]() | BQ20853 | BQ20853 TI SMD or Through Hole | BQ20853.pdf | |
![]() | 343S0122-01 | 343S0122-01 ORIGINAL PLCC | 343S0122-01.pdf | |
![]() | SI4190DY-T1-GE3 | SI4190DY-T1-GE3 VISHAY SOP-8 | SI4190DY-T1-GE3.pdf | |
![]() | 1812FS-334KLC | 1812FS-334KLC Coilcraft SMD or Through Hole | 1812FS-334KLC.pdf | |
![]() | 1.0UF 50V 5*11 M | 1.0UF 50V 5*11 M TASUND SMD or Through Hole | 1.0UF 50V 5*11 M.pdf | |
![]() | CRC4A8E101JT | CRC4A8E101JT AVX SMD | CRC4A8E101JT.pdf | |
![]() | 500797-3794 | 500797-3794 MOLEX SMD or Through Hole | 500797-3794.pdf | |
![]() | TMP87CP21CDF-4H74 | TMP87CP21CDF-4H74 TOSHIBA LQFP-80 | TMP87CP21CDF-4H74.pdf |