창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVP2120GTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVP2120G | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 @ 150mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZVP2120GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVP2120GTA | |
| 관련 링크 | ZVP212, ZVP2120GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW2512820KFKEGHP | RES SMD 820K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW2512820KFKEGHP.pdf | |
![]() | CRA04P083430KJTD | RES ARRAY 4 RES 430K OHM 0804 | CRA04P083430KJTD.pdf | |
![]() | 200BXC100M16*20 | 200BXC100M16*20 RUBYCON DIP-2 | 200BXC100M16*20.pdf | |
![]() | 54F00/CCA | 54F00/CCA S CDIP14 | 54F00/CCA.pdf | |
![]() | S29AL008D70BFI02 | S29AL008D70BFI02 spansion BGA | S29AL008D70BFI02.pdf | |
![]() | BF652 | BF652 ORIGINAL to-92 | BF652.pdf | |
![]() | 844011 | 844011 AMP SOP | 844011.pdf | |
![]() | M34570M4-231FP | M34570M4-231FP MITSUDISHI SSOP-7.2-36P | M34570M4-231FP.pdf | |
![]() | HSML-A100-S00J1 | HSML-A100-S00J1 AVAGO PB-FREE | HSML-A100-S00J1.pdf | |
![]() | DCX52-13-F | DCX52-13-F DIODES SOT89-3L | DCX52-13-F.pdf | |
![]() | W993A | W993A WINBOND DIP | W993A.pdf |