창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVP2106A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVP2106A | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 280mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 18V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVP2106A | |
| 관련 링크 | ZVP2, ZVP2106A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 767141154GP | RES ARRAY 13 RES 150K OHM 14SOIC | 767141154GP.pdf | |
![]() | J | J MAXIM SMD or Through Hole | J.pdf | |
![]() | TEPSLV0J227M12R | TEPSLV0J227M12R NEC V | TEPSLV0J227M12R.pdf | |
![]() | 50-3131-029 | 50-3131-029 PHI QFP44 | 50-3131-029.pdf | |
![]() | K4B1G0446D-HCG8 | K4B1G0446D-HCG8 SAMSUNG BGA | K4B1G0446D-HCG8.pdf | |
![]() | TC74AC374 | TC74AC374 TOS SOP7.2 | TC74AC374.pdf | |
![]() | RJJ-25V821MJ4EG | RJJ-25V821MJ4EG ELNA DIP | RJJ-25V821MJ4EG.pdf | |
![]() | E5FA25.0000F12D33 | E5FA25.0000F12D33 HOSONIC SMD | E5FA25.0000F12D33.pdf | |
![]() | SNJ54AHC373W | SNJ54AHC373W TI SMD or Through Hole | SNJ54AHC373W.pdf | |
![]() | BA7281BS | BA7281BS ROHM DIP32 | BA7281BS.pdf | |
![]() | MAX1487CCPA | MAX1487CCPA MAXIM PDIP | MAX1487CCPA.pdf |