창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVP0545GTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVP0545G | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 450V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150옴 @ 50mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZVP0545GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVP0545GTA | |
관련 링크 | ZVP054, ZVP0545GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | L06032R2CFWTR | 2.2nH Unshielded Thin Film Inductor 1A 80 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L06032R2CFWTR.pdf | |
![]() | M64-M/A11(216-0683001-00) | M64-M/A11(216-0683001-00) ATI BGA | M64-M/A11(216-0683001-00).pdf | |
![]() | KG400A1200V | KG400A1200V SanRexPak SMD or Through Hole | KG400A1200V.pdf | |
![]() | 282159-6 | 282159-6 TYC SMD or Through Hole | 282159-6.pdf | |
![]() | FP205-TL | FP205-TL SANYO 89-5 | FP205-TL.pdf | |
![]() | C41DC. | C41DC. SAMSUNG DIP-8 | C41DC..pdf | |
![]() | FQPF7NC80 | FQPF7NC80 FAIRCHILD TO220F | FQPF7NC80.pdf | |
![]() | JK8002C-M8 | JK8002C-M8 CHAHUA SMD or Through Hole | JK8002C-M8.pdf | |
![]() | DS2Y-S-24VDC | DS2Y-S-24VDC Panasonic DIP | DS2Y-S-24VDC.pdf | |
![]() | BA51W12ST | BA51W12ST ORIGINAL T0-3P | BA51W12ST.pdf | |
![]() | 387MS8E | 387MS8E COMAIRROTRON SMD or Through Hole | 387MS8E.pdf |