창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4306GVTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN4306GV | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZVN4306GVTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN4306GVTA | |
관련 링크 | ZVN430, ZVN4306GVTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | AQ147M220KAJME\500 | 22pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M220KAJME\500.pdf | |
![]() | 12015983 | 12015983 Delphi SMD or Through Hole | 12015983.pdf | |
![]() | T491B475K016RAS | T491B475K016RAS KEMET SMD | T491B475K016RAS.pdf | |
![]() | UC62G4798 | UC62G4798 N/A N A | UC62G4798.pdf | |
![]() | PCI646U2-402 | PCI646U2-402 N/A NC | PCI646U2-402.pdf | |
![]() | 6DI50A055 | 6DI50A055 FUJI SMD or Through Hole | 6DI50A055.pdf | |
![]() | RLS4148N | RLS4148N ROHM LL34 | RLS4148N.pdf | |
![]() | 42TVA0100N05 | 42TVA0100N05 EMC SMD or Through Hole | 42TVA0100N05.pdf | |
![]() | U-8A | U-8A SANKOSHA SMD or Through Hole | U-8A.pdf |