Diodes Incorporated ZVN4306GVTA
- 제조업체 부품 번호
- ZVN4306GVTA
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
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ZVN4306GVTA 가격 및 조달
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11550 조각
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- ₩ 747.24250
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ZVN4306GVTA 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN4306GVTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN4306GV | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZVN4306GVTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN4306GVTA | |
| 관련 링크 | ZVN430, ZVN4306GVTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
ZVN4306GVTA 의 관련 제품
 | TBN4226E | TBN4226E AUK SOT-523 | TBN4226E.pdf | |
| BU4923F | BU4923F ROHM SOT343 | BU4923F.pdf | |
| RF2001-T3D | RF2001-T3D ROHM TO-220 | RF2001-T3D.pdf | |
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| TRF7486ANLB0U1 | TRF7486ANLB0U1 ORIGINAL SMD or Through Hole | TRF7486ANLB0U1.pdf | |
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| RA8803 | RA8803 RAI QFP | RA8803.pdf | |
| RTL204 619/03 | RTL204 619/03 tokyo QFN | RTL204 619/03.pdf |