창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4306A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN4306A | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 850mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN4306A | |
관련 링크 | ZVN4, ZVN4306A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | MNR18ERAPJ470 | RES ARRAY 8 RES 47 OHM 1606 | MNR18ERAPJ470.pdf | |
![]() | CMF55220R00FKEB | RES 220 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55220R00FKEB.pdf | |
![]() | W98256G6EH-6 | W98256G6EH-6 WINBOND SMD or Through Hole | W98256G6EH-6.pdf | |
![]() | 1M-1010-016-3365-012.0 | 1M-1010-016-3365-012.0 ORIGINAL NEW | 1M-1010-016-3365-012.0.pdf | |
![]() | 75C1167NSR | 75C1167NSR TI SOP16 5.2 | 75C1167NSR.pdf | |
![]() | 6F9W7507 | 6F9W7507 N/A TSSOP-8 | 6F9W7507.pdf | |
![]() | SK-23D08 | SK-23D08 DSL SMD or Through Hole | SK-23D08.pdf | |
![]() | MCR100LZHJ130JT | MCR100LZHJ130JT ROHM SMD | MCR100LZHJ130JT.pdf | |
![]() | 150MRS48W15LC | 150MRS48W15LC MR DIP9 | 150MRS48W15LC.pdf | |
![]() | LTN101NT06-W01 | LTN101NT06-W01 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTN101NT06-W01.pdf | |
![]() | MC33079D(TSTDTS) | MC33079D(TSTDTS) SGSTHOMSON SMD or Through Hole | MC33079D(TSTDTS).pdf | |
![]() | AM25LS161ADM-B-18S | AM25LS161ADM-B-18S AMD DIP | AM25LS161ADM-B-18S.pdf |