창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4210A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN4210A | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 450mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN4210A | |
관련 링크 | ZVN4, ZVN4210A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | C3225CH2E473J250AA | 0.047µF 250V 세라믹 커패시터 CH 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225CH2E473J250AA.pdf | |
![]() | CMMSH1-100G TR | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123F | CMMSH1-100G TR.pdf | |
![]() | ERJ-PA3D2203V | RES SMD 220K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D2203V.pdf | |
![]() | PCD3330-1 | PCD3330-1 PHI DIP-28 | PCD3330-1.pdf | |
![]() | 8400-4-D12-2 | 8400-4-D12-2 ORIGINAL DIP-SOP | 8400-4-D12-2.pdf | |
![]() | 89G8917EB | 89G8917EB HITACHI QFP | 89G8917EB.pdf | |
![]() | MP204-000 | MP204-000 TECHNISAT QFP | MP204-000.pdf | |
![]() | EMV-500ARB100MF55G | EMV-500ARB100MF55G NCC SMD or Through Hole | EMV-500ARB100MF55G.pdf | |
![]() | PIC16C55A04/SO | PIC16C55A04/SO ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC16C55A04/SO.pdf | |
![]() | DBMG-25S-J-A197 | DBMG-25S-J-A197 ITTCannon SMD or Through Hole | DBMG-25S-J-A197.pdf | |
![]() | US3E-NL | US3E-NL FAIRCHILD DO-214AB | US3E-NL.pdf | |
![]() | A6s (BAS16W) | A6s (BAS16W) SIEMENS SC-70 | A6s (BAS16W).pdf |