Diodes Incorporated ZVN4210A
,TO-226_straightlead.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- ZVN4210A
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
ZVN4210A 가격 및 조달
가능 수량
10528 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 415.13500
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 ZVN4210A 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. ZVN4210A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. ZVN4210A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- ZVN4210A 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
ZVN4210A 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN4210A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN4210A | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 450mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN4210A | |
| 관련 링크 | ZVN4, ZVN4210A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
ZVN4210A 의 관련 제품
 | 7448060620 | 20mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 6A DCR 45 mOhm | 7448060620.pdf | |
 | CM322522-R15ML | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 230mA 720 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | CM322522-R15ML.pdf | |
 | RC3-10V100M-T2 | RC3-10V100M-T2 Elna SMD or Through Hole | RC3-10V100M-T2.pdf | |
| 16P8R160624R | 16P8R160624R ORIGINAL SMD or Through Hole | 16P8R160624R.pdf | |
| DDR K4D263238G-GC33(4X32) | DDR K4D263238G-GC33(4X32) SAMSUNG BGA | DDR K4D263238G-GC33(4X32).pdf | |
| SILABSF313 | SILABSF313 SILICON QFN28 | SILABSF313.pdf | |
| BLF287 | BLF287 NXP SMD or Through Hole | BLF287.pdf | |
| DAC0854CIWM | DAC0854CIWM NS SOP | DAC0854CIWM.pdf | |
| 3316-150M | 3316-150M ORIGINAL SMD or Through Hole | 3316-150M.pdf | |
| 3RH1921-1EA11 | 3RH1921-1EA11 CTSCORPORATION SMD or Through Hole | 3RH1921-1EA11.pdf | |
| TD1115-B33-0860 | TD1115-B33-0860 RAY SMD | TD1115-B33-0860.pdf | |
| MCR18EAJ205E | MCR18EAJ205E ROHM SMD or Through Hole | MCR18EAJ205E.pdf |