창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4206AV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN4206A | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN4206AV | |
관련 링크 | ZVN42, ZVN4206AV 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
741X163202JP | RES ARRAY 8 RES 2K OHM 1506 | 741X163202JP.pdf | ||
Y0012220K000F9L | RES 220K OHM 1.5W 1% RADIAL | Y0012220K000F9L.pdf | ||
RJF-10V472MJ6 | RJF-10V472MJ6 ELNA DIP | RJF-10V472MJ6.pdf | ||
6N135(TP1 | 6N135(TP1 ISOCOM DIPSOP | 6N135(TP1.pdf | ||
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ULS2023R-883 | ULS2023R-883 ALLEGRO SMD or Through Hole | ULS2023R-883.pdf | ||
216BABAVA11FG(M71-S) | 216BABAVA11FG(M71-S) ATI BGA | 216BABAVA11FG(M71-S).pdf | ||
PBW50F-12 | PBW50F-12 Cosel SMD or Through Hole | PBW50F-12.pdf | ||
f41.61.9.024.00 | f41.61.9.024.00 fin SMD or Through Hole | f41.61.9.024.00.pdf | ||
N82S181N.=27S181 | N82S181N.=27S181 PHI SMD or Through Hole | N82S181N.=27S181.pdf |