창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN4206AV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN4206A | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN4206AV | |
| 관련 링크 | ZVN42, ZVN4206AV 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | B72500T5170S260 | VARISTOR 25V 30A 0603 | B72500T5170S260.pdf | |
![]() | 8532R-14H | 12µH Unshielded Inductor 3.09A 37 mOhm Max 2-SMD | 8532R-14H.pdf | |
![]() | CMXE60D10 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP | CMXE60D10.pdf | |
![]() | SFR25H0009100JA500 | RES 910 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0009100JA500.pdf | |
![]() | CPL05R0400FB313 | RES 0.04 OHM 5W 1% AXIAL | CPL05R0400FB313.pdf | |
![]() | MPX5010GS | Pressure Sensor 1.45 PSI (10 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0.2 V ~ 4.7 V 6-SIP Module | MPX5010GS.pdf | |
![]() | ICVE21054E250R101PR | ICVE21054E250R101PR INNOCHIPS SMD or Through Hole | ICVE21054E250R101PR.pdf | |
![]() | TC1173-5.0VUATR | TC1173-5.0VUATR MICROCHIP IC | TC1173-5.0VUATR.pdf | |
![]() | SI4700-A09-GM | SI4700-A09-GM SILICON QFN | SI4700-A09-GM.pdf | |
![]() | 2SJ141(1) | 2SJ141(1) NEC TO220 | 2SJ141(1).pdf | |
![]() | PQ1R36 | PQ1R36 SHARP 6P 1210 | PQ1R36.pdf | |
![]() | G003H5C1 | G003H5C1 RAYTHEON PGA | G003H5C1.pdf |