창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN4206ASTZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN4206A | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E-Line-3 | |
| 공급 장치 패키지 | E-Line(TO-92 호환) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN4206ASTZ | |
| 관련 링크 | ZVN420, ZVN4206ASTZ 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37033CTR | 37MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37033CTR.pdf | |
| 74457182 | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 173 mOhm Max Nonstandard | 74457182.pdf | ||
![]() | FKC2-101K100 | FKC2-101K100 WIMA() SMD or Through Hole | FKC2-101K100.pdf | |
![]() | ILQ31-X007 | ILQ31-X007 VIS/INF DIPSOP16 | ILQ31-X007.pdf | |
![]() | 2SC3515 | 2SC3515 TOSHIBA TO-252 | 2SC3515.pdf | |
![]() | SH-809 | SH-809 KEYENCE SMD or Through Hole | SH-809.pdf | |
![]() | FX-500-LAC-GNJ-8K0000/2M | FX-500-LAC-GNJ-8K0000/2M VECTRON SMD | FX-500-LAC-GNJ-8K0000/2M.pdf | |
![]() | ADS808KH | ADS808KH BB DIP | ADS808KH.pdf | |
![]() | WD25-24S09 | WD25-24S09 MAX SMD or Through Hole | WD25-24S09.pdf | |
![]() | RER160-28/12N/12 | RER160-28/12N/12 EBM/PAPST ORIGINAL | RER160-28/12N/12.pdf |