창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4206A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN4206A | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN4206A | |
관련 링크 | ZVN4, ZVN4206A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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T602-010.0M | 10MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 2.1mA Enable/Disable | T602-010.0M.pdf | ||
![]() | 4816P-T02-681 | RES ARRAY 15 RES 680 OHM 16SOIC | 4816P-T02-681.pdf | |
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![]() | CMF5520K000FHEK | RES 20K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5520K000FHEK.pdf | |
![]() | S2F-E3 | S2F-E3 VISHAY DO-214AA | S2F-E3.pdf | |
![]() | PLA-X-10064 | PLA-X-10064 CPClare DIP6 | PLA-X-10064.pdf | |
![]() | 29PL320BE-120FV | 29PL320BE-120FV F SOP | 29PL320BE-120FV.pdf | |
![]() | SN74CBT16210DGGRG4 | SN74CBT16210DGGRG4 TI TSSOP48 | SN74CBT16210DGGRG4.pdf | |
![]() | QT3216BL470-LF | QT3216BL470-LF Magic Power Technology Co Ltd SMD or Through Hole | QT3216BL470-LF.pdf | |
![]() | MK22D10 | MK22D10 ORIGINAL SMD or Through Hole | MK22D10.pdf | |
![]() | S1N5617US | S1N5617US MICROSEMI SMD | S1N5617US.pdf |