창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN4206A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN4206A | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN4206A | |
| 관련 링크 | ZVN4, ZVN4206A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RJK0603DPN-E0#T2 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220 | RJK0603DPN-E0#T2.pdf | |
![]() | TCH35P2K70JE | RES 2.7K OHM 35W 5% TO220 | TCH35P2K70JE.pdf | |
![]() | U7876 | U7876 ROHM BGA | U7876.pdf | |
![]() | FDS8958A(LEADFREE) | FDS8958A(LEADFREE) FSC SO-8 | FDS8958A(LEADFREE).pdf | |
![]() | 74AC299SC | 74AC299SC FCS SOP-20 | 74AC299SC.pdf | |
![]() | AD9215BRUZG4-REEL7 | AD9215BRUZG4-REEL7 AD Original | AD9215BRUZG4-REEL7.pdf | |
![]() | DG413CY+ | DG413CY+ MaximIntegratedProducts SMD or Through Hole | DG413CY+.pdf | |
![]() | CC4-100V-30P-J | CC4-100V-30P-J ORIGINAL SMD or Through Hole | CC4-100V-30P-J.pdf | |
![]() | RC1608F1101CS | RC1608F1101CS SAMSUNG SMD or Through Hole | RC1608F1101CS.pdf | |
![]() | DTW630V223J | DTW630V223J SHI SMD or Through Hole | DTW630V223J.pdf | |
![]() | NB21J50682JBB | NB21J50682JBB AVX SMD | NB21J50682JBB.pdf | |
![]() | KPC-3216SECK | KPC-3216SECK KINGBRIGHT PBFREE | KPC-3216SECK.pdf |