홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » ZVN2110ASTZ

Diodes Incorporated ZVN2110ASTZ

ZVN2110ASTZ
제조업체 부품 번호
ZVN2110ASTZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
ZVN2110ASTZ 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 322.47050
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 ZVN2110ASTZ 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. ZVN2110ASTZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. ZVN2110ASTZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
ZVN2110ASTZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
ZVN2110ASTZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-ZVN2110ASTZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ZVN2110A
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C320mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds75pF @ 25V
전력 - 최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스E-Line-3
공급 장치 패키지E-Line(TO-92 호환)
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ZVN2110ASTZ
관련 링크ZVN211, ZVN2110ASTZ 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
ZVN2110ASTZ 의 관련 제품
1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 51mA Standby SIT9002AC-33H33SD.pdf
RES SMD 82K OHM 5% 1W 2512 MCR100JZHJ823.pdf
RES 1.3K OHM 0.4W 1% AXIAL MRS16000C1301FC100.pdf
MS1281 APT SMD or Through Hole MS1281.pdf
1L0280R FAIRCHILD N A 1L0280R.pdf
8479 IEWC SMD or Through Hole 8479.pdf
74ABT16373BDL PHILPS SMD or Through Hole 74ABT16373BDL.pdf
500BXC22M12.5*35 RUBYCON DIP-2 500BXC22M12.5*35.pdf
MK3200IL MK SOP8 MK3200IL.pdf
SS32W560MCYWPEC HIT DIP SS32W560MCYWPEC.pdf
LMB2010G-T NS SOP LMB2010G-T.pdf
XO52CTFLNA3M6864 VISHAY SMD or Through Hole XO52CTFLNA3M6864.pdf