창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN0124A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN0124A | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 240V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16옴 @ 250mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 85pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN0124A | |
| 관련 링크 | ZVN0, ZVN0124A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D150GXXAP | 15pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D150GXXAP.pdf | |
![]() | CLA60MT1200NTZ | TRIAC 1.2KV 66A TO-268AA | CLA60MT1200NTZ.pdf | |
![]() | 2SA1037 Q | 2SA1037 Q ROHM SOT-23 | 2SA1037 Q.pdf | |
![]() | FH10A-24S-1SHB | FH10A-24S-1SHB HIROSE SMD or Through Hole | FH10A-24S-1SHB.pdf | |
![]() | LDPCFD8VCTC01 | LDPCFD8VCTC01 M-SYSTEMS SMD or Through Hole | LDPCFD8VCTC01.pdf | |
![]() | UPC2771T/C2H | UPC2771T/C2H NEC SOT-163 | UPC2771T/C2H.pdf | |
![]() | PEB2186H | PEB2186H Infineon QFP | PEB2186H.pdf | |
![]() | PDTC123TT | PDTC123TT NXP SMD or Through Hole | PDTC123TT.pdf | |
![]() | SN0307059DR | SN0307059DR TI SMD or Through Hole | SN0307059DR.pdf | |
![]() | AMP02EPZ# | AMP02EPZ# AD DIP-8 | AMP02EPZ#.pdf | |
![]() | 24AA64X-I/ST | 24AA64X-I/ST MICROCHIP TSSOP | 24AA64X-I/ST.pdf | |
![]() | SELS2L10C-S | SELS2L10C-S SANKEN ROHS | SELS2L10C-S.pdf |