홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이 » ZTD09N50DE6QTA

Diodes Incorporated ZTD09N50DE6QTA

ZTD09N50DE6QTA
제조업체 부품 번호
ZTD09N50DE6QTA
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 2NPN 50V 1A
데이터 시트 다운로드
다운로드
ZTD09N50DE6QTA 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 429.96100
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 ZTD09N50DE6QTA 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. ZTD09N50DE6QTA 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. ZTD09N50DE6QTA가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
ZTD09N50DE6QTA 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
ZTD09N50DE6QTA 매개 변수
내부 부품 번호EIS-ZTD09N50DE6QTA
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ZXTD09N50DE6
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 NPN(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic270mV @ 50mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)10nA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 2V
전력 - 최대1.1W
주파수 - 트랜지션215MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지SOT-26
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ZTD09N50DE6QTA
관련 링크ZTD09N50, ZTD09N50DE6QTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
ZTD09N50DE6QTA 의 관련 제품
RES SMD 390 OHM 0.1% 0.4W 2010 TNPW2010390RBETF.pdf
Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Male - 0.1" (2.47mm) Tube 0.5 V ~ 4.5 V 4-SIP, Side Port HSCSLNN015PGAA5.pdf
8710CFA SAMMO DIP18 8710CFA.pdf
IS28F02070T ISSI SMD or Through Hole IS28F02070T.pdf
ZC403217P MOT DIP40 ZC403217P.pdf
4-794627-0 TYCO SMD or Through Hole 4-794627-0.pdf
HTP6601 ORIGINAL SMD or Through Hole HTP6601.pdf
NJM2195V(TE1) JRC TSSOP NJM2195V(TE1).pdf
D6BN1P OMRON Call D6BN1P.pdf
110，57 ORIGINAL SMD or Through Hole 110，57.pdf
AM29LV800B-120FC AMD TSOP AM29LV800B-120FC.pdf
CBG201209U122 FH SMD CBG201209U122.pdf