창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-ZNBG2002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | ZNBG2002 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SSOP-3.9-16P | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | ZNBG2002 | |
관련 링크 | ZNBG, ZNBG2002 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | SP1210-103G | 10µH Shielded Wirewound Inductor 464mA 960 mOhm Max Nonstandard | SP1210-103G.pdf | |
![]() | MCT0603MD1500DP500 | RES SMD 150 OHM 0.5% 0.15W 0603 | MCT0603MD1500DP500.pdf | |
![]() | CRCW060353R6FKEC | RES SMD 53.6 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060353R6FKEC.pdf | |
![]() | AP50AA11 | AP50AA11 ST QFP | AP50AA11.pdf | |
![]() | ATF1504ASVL-20AC100 | ATF1504ASVL-20AC100 ATMELCORPORATION SMD or Through Hole | ATF1504ASVL-20AC100.pdf | |
![]() | V3507 043 | V3507 043 N/A SMD or Through Hole | V3507 043.pdf | |
![]() | M378T2863QZS-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DI | M378T2863QZS-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DI Samsung SMD or Through Hole | M378T2863QZS-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DI.pdf | |
![]() | F3A1563 | F3A1563 ORIGINAL BGA | F3A1563.pdf | |
![]() | TRJB156M016R0800 | TRJB156M016R0800 AVX SMD | TRJB156M016R0800.pdf | |
![]() | RWM05261R00JA14E1 | RWM05261R00JA14E1 Vishay SMD or Through Hole | RWM05261R00JA14E1.pdf |