창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZMY7V5-GS08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZMY3V9 thru ZMY100 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | ZMY7V5GS08 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZMY7V5-GS08 | |
관련 링크 | ZMY7V5, ZMY7V5-GS08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | P3519R-334J | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 221mA 6.05 Ohm Max Nonstandard | P3519R-334J.pdf | |
![]() | BCV-FEC | SUPPORT PILLARS | BCV-FEC.pdf | |
![]() | CJT8001R5JJ | RES CHAS MNT 1.5 OHM 5% 800W | CJT8001R5JJ.pdf | |
![]() | MCR18EZPJ3R0 | RES SMD 3 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZPJ3R0.pdf | |
![]() | RG2012N-4223-W-T1 | RES SMD 422K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-4223-W-T1.pdf | |
![]() | NL1210221JTR | NL1210221JTR N/A SMD or Through Hole | NL1210221JTR.pdf | |
![]() | 617-00025 | 617-00025 TELTONE CDIP22 | 617-00025.pdf | |
![]() | UPA3778 | UPA3778 NEC TSSOP-16 | UPA3778.pdf | |
![]() | SL4X | SL4X MICROCHIP MSOP8 | SL4X.pdf | |
![]() | IF1215S-1W | IF1215S-1W MORNSUN SIP | IF1215S-1W.pdf | |
![]() | GRM155B11H331KA01D | GRM155B11H331KA01D MURATA SMD or Through Hole | GRM155B11H331KA01D.pdf | |
![]() | 1N5630AJANTX | 1N5630AJANTX Microsemi NA | 1N5630AJANTX.pdf |