창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZMY3V9-GS18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZMY3V9 thru ZMY100 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | ZMY3V9GS18 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZMY3V9-GS18 | |
관련 링크 | ZMY3V9, ZMY3V9-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 445W23B25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 13pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23B25M00000.pdf | |
![]() | R3047TD24T | R3047TD24T WESTCODE SMD or Through Hole | R3047TD24T.pdf | |
![]() | HLMP-1340J0002 | HLMP-1340J0002 AGI 1800TR | HLMP-1340J0002.pdf | |
![]() | 67WR10K J | 67WR10K J BITECH SMD or Through Hole | 67WR10K J.pdf | |
![]() | TB28B064C8C | TB28B064C8C RENESA SMD or Through Hole | TB28B064C8C.pdf | |
![]() | 624-35AB | 624-35AB WAK SMD or Through Hole | 624-35AB.pdf | |
![]() | GF-6600-LF-A4 | GF-6600-LF-A4 NVDIA BGA | GF-6600-LF-A4.pdf | |
![]() | COQ | COQ ORIGINAL SOT-23 | COQ.pdf | |
![]() | BB3583SM | BB3583SM BB TO-8 | BB3583SM.pdf | |
![]() | PO35-01-TT-63 | PO35-01-TT-63 INNOLUX SMD or Through Hole | PO35-01-TT-63.pdf | |
![]() | LTC1135ACN | LTC1135ACN LT DIP | LTC1135ACN.pdf | |
![]() | KMCEG0000A-S998 | KMCEG0000A-S998 Samsung SMD or Through Hole | KMCEG0000A-S998.pdf |