창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZMM8V2SB00014D2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ZMM8V2SB00014D2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ZMM8V2SB00014D2 | |
| 관련 링크 | ZMM8V2SB0, ZMM8V2SB00014D2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | BA6492BFS | BA6492BFS ROHM SMD or Through Hole | BA6492BFS.pdf | |
![]() | 0603B102M250NT | 0603B102M250NT WALSINTECH SMD or Through Hole | 0603B102M250NT.pdf | |
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![]() | BCM5638B1KPB-P21 | BCM5638B1KPB-P21 BROADCOM BGA37.5 37.5 | BCM5638B1KPB-P21.pdf | |
![]() | SW160827NJ3B | SW160827NJ3B K SMD or Through Hole | SW160827NJ3B.pdf | |
![]() | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM.pdf |