창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZHB6790TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZHB6790TC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 Bond Wire Chg 14/Jun/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1465 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN + 2 PNP(H 브리지) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-223-8 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZHB6790TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZHB6790TA | |
| 관련 링크 | ZHB67, ZHB6790TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 445A35H30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 32pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35H30M00000.pdf | |
![]() | BZX84C62-G3-18 | DIODE ZENER 62V 300MW SOT23-3 | BZX84C62-G3-18.pdf | |
![]() | TMS320C6202GJL-200 | TMS320C6202GJL-200 N/A N A | TMS320C6202GJL-200.pdf | |
![]() | APM2307AC-TRG | APM2307AC-TRG ANPEC SOT-23 | APM2307AC-TRG.pdf | |
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![]() | C3225Y5V1H476MT | C3225Y5V1H476MT TDK SMD | C3225Y5V1H476MT.pdf | |
![]() | HFD3-12VDC | HFD3-12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | HFD3-12VDC.pdf | |
![]() | MS-6 MS-6G | MS-6 MS-6G ORIGINAL SMD or Through Hole | MS-6 MS-6G.pdf | |
![]() | NE0609R08 | NE0609R08 MURATA SMD or Through Hole | NE0609R08.pdf | |
![]() | KM616400J-20 | KM616400J-20 SAMSUNG SOJ | KM616400J-20.pdf | |
![]() | TMS370C777ANMT | TMS370C777ANMT TI SMD or Through Hole | TMS370C777ANMT.pdf | |
![]() | YF268515 | YF268515 ORIGINAL SOP | YF268515.pdf |