창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-Z0107NA,412 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Z0107NA | |
| PCN 기타 | Joint Venture Revision 07/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Part Status Conversion 22/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트라이액 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트라이액 유형 | 논리 - 민감형 게이트 | |
| 전압 - 오프 상태 | 800V | |
| 전류 - 온 상태(It (RMS))(최대) | 1A | |
| 전압 - 게이트 트리거(Vgt)(최대) | 1.3V | |
| 전류 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 8A, 8.5A | |
| 전류 - 게이트 트리거(Igt)(최대) | 5mA | |
| 전류 - 홀드(Ih)(최대) | 10mA | |
| 구성 | 단일 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-3749 934057058412 Z0107NA Z0707NA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | Z0107NA,412 | |
| 관련 링크 | Z0107N, Z0107NA,412 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CL31C680JIFNFNE | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C680JIFNFNE.pdf | |
![]() | GRM0335C1E9R4CA01D | 9.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E9R4CA01D.pdf | |
![]() | RC2012J395CS | RES SMD 3.9M OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J395CS.pdf | |
![]() | PAT0603E1370BST1 | RES SMD 137 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E1370BST1.pdf | |
![]() | SX7150D | SX7150D Honeywell Sensor | SX7150D.pdf | |
![]() | ST914IDT | ST914IDT ST SOP-14 | ST914IDT.pdf | |
![]() | KMM59256BN8 | KMM59256BN8 SAMSUNG SMD or Through Hole | KMM59256BN8.pdf | |
![]() | TC511000AP-12 | TC511000AP-12 TOSHIBA DIP18 | TC511000AP-12.pdf | |
![]() | 15E | 15E ORIGINAL TO92 | 15E.pdf | |
![]() | MCS0402-501%E039K | MCS0402-501%E039K ORIGINAL SMD or Through Hole | MCS0402-501%E039K.pdf | |
![]() | SMI-453232-100J | SMI-453232-100J maglayersusa SMD or Through Hole | SMI-453232-100J.pdf |