창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-YRW-3W-100 ohm-J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | YRW-3W-100 ohm-J | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | YRW-3W-100 ohm-J | |
관련 링크 | YRW-3W-10, YRW-3W-100 ohm-J 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | SCRH124-271 | 270µH Shielded Inductor 860mA 870 mOhm Max Nonstandard | SCRH124-271.pdf | |
![]() | 1330R-36K | 4.7µH Unshielded Inductor 239mA 1.2 Ohm Max 2-SMD | 1330R-36K.pdf | |
![]() | 4S1D13716B02C100 | 4S1D13716B02C100 EPSON BGA | 4S1D13716B02C100.pdf | |
![]() | 10K640ME | 10K640ME ORIGINAL DIP-3 | 10K640ME.pdf | |
![]() | QL8X12-1PL68C | QL8X12-1PL68C QUALCOMM PLCC68 | QL8X12-1PL68C.pdf | |
![]() | MB15F05PFV1-G-BND-E | MB15F05PFV1-G-BND-E FUJITSU TSSOP | MB15F05PFV1-G-BND-E.pdf | |
![]() | TFEAEWJAND-10M | TFEAEWJAND-10M TAITIEN VCTCXO | TFEAEWJAND-10M.pdf | |
![]() | DR30E3L-E4 | DR30E3L-E4 FUJI SMD or Through Hole | DR30E3L-E4.pdf | |
![]() | BSS119 TEL:82766440 | BSS119 TEL:82766440 NXP SOT23 | BSS119 TEL:82766440.pdf | |
![]() | TDA2822T(3V) SUM/DIP | TDA2822T(3V) SUM/DIP SUM DIP | TDA2822T(3V) SUM/DIP.pdf | |
![]() | XC3S1600E-5FGG484I | XC3S1600E-5FGG484I XILINX BGA | XC3S1600E-5FGG484I.pdf | |
![]() | SO20/26JT-7.6MM | SO20/26JT-7.6MM ACT SOJ | SO20/26JT-7.6MM.pdf |