창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-Y163510K0000F0L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VHZ Series Hermetic (Z-Foil) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) | |
계열 | VHZ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 10k | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.6W | |
구성 | 금속 호일 | |
특징 | 내습성, 비유도성 | |
온도 계수 | ±0.2ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
패키지/케이스 | 방사 | |
공급 장치 패키지 | - | |
크기/치수 | 0.435" L x 0.185" W(11.05mm x 4.70mm) | |
높이 | 0.430"(10.92mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | Y163510K0000F0L | |
관련 링크 | Y163510K0, Y163510K0000F0L 데이터 시트, Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) 에이전트 유통 |
![]() | CGA9M2X7R1E106M200KA | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | CGA9M2X7R1E106M200KA.pdf | |
![]() | 445I33L12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I33L12M00000.pdf | |
![]() | HM17-654101LF | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 680 mOhm Max Radial | HM17-654101LF.pdf | |
![]() | MBA02040C5603FCT00 | RES 560K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C5603FCT00.pdf | |
![]() | ICMB-68FR2-F68N-WH | ICMB-68FR2-F68N-WH HONDA STOCK | ICMB-68FR2-F68N-WH.pdf | |
![]() | TLE4269G .... | TLE4269G .... Infineon SOP8 | TLE4269G .....pdf | |
![]() | RM30TB | RM30TB MITSUBISHI Module | RM30TB.pdf | |
![]() | MA342-M(TX) | MA342-M(TX) PANASONIC LL34 | MA342-M(TX).pdf | |
![]() | CD330UF/25V-8*10 | CD330UF/25V-8*10 ORIGINAL SOP | CD330UF/25V-8*10.pdf | |
![]() | M378T2863QZS-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DI | M378T2863QZS-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DI Samsung SMD or Through Hole | M378T2863QZS-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DI.pdf | |
![]() | BZT52C6V8VGS08 | BZT52C6V8VGS08 vishay INSTOCKPACK3000 | BZT52C6V8VGS08.pdf |