- XO35DTEDNA32M768
- 제조업체 부품 번호
- XO35DTEDNA32M768
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 3
- 간단한 설명
- XO35DTEDNA32M768 vishay SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
XO35DTEDNA32M768 가격 및 조달
가능 수량
74950 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 XO35DTEDNA32M768 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. XO35DTEDNA32M768 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. XO35DTEDNA32M768가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- XO35DTEDNA32M768 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
XO35DTEDNA32M768 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-XO35DTEDNA32M768 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | XO35DTEDNA32M768 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | XO35DTEDNA32M768 | |
| 관련 링크 | XO35DTEDN, XO35DTEDNA32M768 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
XO35DTEDNA32M768 의 관련 제품
 | VJ2225Y683KBCAT4X | 0.068µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y683KBCAT4X.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ0603P3N0CT000 | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 450mA 300 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P3N0CT000.pdf | |
 | MCT06030D9312BP100 | RES SMD 93.1KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D9312BP100.pdf | |
 | H82K0BDA | RES 2.00K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H82K0BDA.pdf | |
| TEF6624T/V1 | TEF6624T/V1 NXP SMD or Through Hole | TEF6624T/V1.pdf | |
| SY8008AACC | SY8008AACC SILERGY TSOT23-5 | SY8008AACC.pdf | |
| 78M33CDCYR | 78M33CDCYR TI SOT-223 | 78M33CDCYR.pdf | |
| M5105 A4E8 | M5105 A4E8 ACER SMD or Through Hole | M5105 A4E8.pdf | |
| CAT5411YI | CAT5411YI CATALYST TSSOP | CAT5411YI.pdf | |
| SCAN921025SLC | SCAN921025SLC NATIONAL BGABTRAY | SCAN921025SLC.pdf | |
| P6N60FI | P6N60FI ORIGINAL SMD or Through Hole | P6N60FI.pdf | |
| 5-1612163-4 | 5-1612163-4 AMP/WSI SMD or Through Hole | 5-1612163-4.pdf |