창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-XF648197BDPV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | XF648197BDPV | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | QFP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | XF648197BDPV | |
관련 링크 | XF64819, XF648197BDPV 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | CC0402DRNPO9BN7R5 | 7.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402DRNPO9BN7R5.pdf | |
![]() | 416F40035ITT | 40MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40035ITT.pdf | |
![]() | RN1902FE,LF(CT | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | RN1902FE,LF(CT.pdf | |
![]() | RT1206DRE0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0739R2L.pdf | |
![]() | 2RM090L-8 | 2RM090L-8 IB DIP | 2RM090L-8.pdf | |
![]() | K4R761869E-QC19 | K4R761869E-QC19 SAMSUNG BGA | K4R761869E-QC19.pdf | |
![]() | GN4F4Z-T1 | GN4F4Z-T1 NEC SOT323-3 | GN4F4Z-T1.pdf | |
![]() | LH5762J-55 | LH5762J-55 SHARP CDIP28 | LH5762J-55.pdf | |
![]() | PK55F-080 | PK55F-080 ORIGINAL SMD or Through Hole | PK55F-080.pdf | |
![]() | RK73G1JTTD2210F | RK73G1JTTD2210F KOA SMD | RK73G1JTTD2210F.pdf | |
![]() | 1210L1000104KXT | 1210L1000104KXT SYFER SMD | 1210L1000104KXT.pdf | |
![]() | RN-422M | RN-422M ROVINGNETWORKS RN-422Series234kb | RN-422M.pdf |