창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-XC2S200E-6FT256I | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | XC2S200E-6FT256I | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | XC2S200E-6FT256I | |
관련 링크 | XC2S200E-, XC2S200E-6FT256I 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | UHE2A6R8MDD | 6.8µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UHE2A6R8MDD.pdf | |
![]() | 08055C393JAT2A | 0.039µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C393JAT2A.pdf | |
![]() | VJ0603D510JXBAC | 51pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D510JXBAC.pdf | |
![]() | SI4666DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC | SI4666DY-T1-GE3.pdf | |
![]() | HD663A36T02R | HD663A36T02R HITACHI SMD or Through Hole | HD663A36T02R.pdf | |
![]() | THCR20E1E684ZT | THCR20E1E684ZT NIPPON SMD | THCR20E1E684ZT.pdf | |
![]() | 3V9HSB | 3V9HSB ST DO35 | 3V9HSB.pdf | |
![]() | SC70072 | SC70072 AMTECH SMD or Through Hole | SC70072.pdf | |
![]() | AT858-45KR AT838-45KR AT828-45KR | AT858-45KR AT838-45KR AT828-45KR ATP SMD or Through Hole | AT858-45KR AT838-45KR AT828-45KR.pdf | |
![]() | IRFP064NPBF-MX | IRFP064NPBF-MX IR SMD or Through Hole | IRFP064NPBF-MX.pdf | |
![]() | PD3113A | PD3113A ORIGINAL SMD or Through Hole | PD3113A.pdf |