창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-WYO222MCMCB0KR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | WYO Series Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | WYO | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 2200pF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 440VAC | |
온도 계수 | Y5U(E) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 안전 | |
등급 | X1, Y2 | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
크기/치수 | 0.354" Dia(9.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.472"(12.00mm) | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
특징 | - | |
리드 유형 | 스트레이트형 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | WYO222MCMCB0KR | |
관련 링크 | WYO222MC, WYO222MCMCB0KR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 08055A180KAT2A | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A180KAT2A.pdf | |
![]() | A2C32408 | A2C32408 ST TQFP80 | A2C32408.pdf | |
![]() | HV841K6 | HV841K6 ORIGINAL DFN-10 | HV841K6.pdf | |
![]() | 65801-024 | 65801-024 FCI SMD or Through Hole | 65801-024.pdf | |
![]() | IMP812LEUS NOPB | IMP812LEUS NOPB IMP SOT143 | IMP812LEUS NOPB.pdf | |
![]() | OM5178HL/C3 | OM5178HL/C3 PHILIPS QFP | OM5178HL/C3.pdf | |
![]() | STA383WS | STA383WS ST NAVIS | STA383WS.pdf | |
![]() | RT0603BRC-07470RL | RT0603BRC-07470RL YAGEO SMD | RT0603BRC-07470RL.pdf | |
![]() | AM386DXDXL33 | AM386DXDXL33 ORIGINAL SMD or Through Hole | AM386DXDXL33.pdf | |
![]() | X01203-003 | X01203-003 XBOX QFP | X01203-003.pdf | |
![]() | TMCUA1A105MTR (10V/1 | TMCUA1A105MTR (10V/1 HITACHI SMD or Through Hole | TMCUA1A105MTR (10V/1.pdf | |
![]() | M378B2873FHS-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM | M378B2873FHS-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M378B2873FHS-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM.pdf |