창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-WW3JB1R00 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | WW, MWW Series Resistor Packaging Spec | |
| 제품 교육 모듈 | Pulse Handling Resistor Solutions | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| PCN 부품 번호 | Global Part Number 9/Aug/2010 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 스루홀 저항기 | |
| 제조업체 | Stackpole Electronics Inc. | |
| 계열 | WW | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 1 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 3W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±50ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 350°C | |
| 패키지/케이스 | 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 크기/치수 | 0.187" Dia x 0.560" L(4.75mm x 14.22mm) | |
| 높이 | - | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | WW 5 1 5% B WW515%B WW515%B-ND WW51JB WW51JB-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | WW3JB1R00 | |
| 관련 링크 | WW3JB, WW3JB1R00 데이터 시트, Stackpole Electronics Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812Y682KXPAT5Z | 6800pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | VJ1812Y682KXPAT5Z.pdf | |
![]() | 416F370XXAAR | 37MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370XXAAR.pdf | |
![]() | CCSO-914X-250.000 | 250MHz Sine Wave SO (SAW) Oscillator Surface Mount 5V 35mA | CCSO-914X-250.000.pdf | |
![]() | PG0087.222NLT | 2.2µH Shielded Inductor 2.2A 45 mOhm Max Nonstandard | PG0087.222NLT.pdf | |
![]() | PTKM50R-50 | 50µH Shielded Toroidal Inductor 3.93A 35 mOhm Max Radial | PTKM50R-50.pdf | |
![]() | LTV-817S-TA-B | LTV-817S-TA-B LITEON SOP4 | LTV-817S-TA-B.pdf | |
![]() | 2SK879-0 (TE85R,F) | 2SK879-0 (TE85R,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK879-0 (TE85R,F).pdf | |
![]() | EP1C4F324 | EP1C4F324 ALTERA BGA | EP1C4F324.pdf | |
![]() | TD2732A-3 | TD2732A-3 INTEL DIP | TD2732A-3.pdf | |
![]() | SAMCL21C122JBNE(108324) | SAMCL21C122JBNE(108324) SAMSUNG SMD or Through Hole | SAMCL21C122JBNE(108324).pdf | |
![]() | RF9008TR13 | RF9008TR13 RFMD QFN | RF9008TR13.pdf |